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簡(jiǎn)要描述：第三代半導(dǎo)體器件全參數(shù)測(cè)試 電力電子器件:廣電計(jì)量專(zhuān)家團(tuán)隊(duì)深入解讀IGBT測(cè)試相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，建立功率模塊可靠性驗(yàn)證技術(shù)能力，可以為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)提供具有專(zhuān)業(yè)性的IGBT及第三代半導(dǎo)體器件全參數(shù)測(cè)試驗(yàn)證報(bào)告。
廠(chǎng)商性質(zhì)：工程商更新時(shí)間：2025-09-01訪(fǎng)問(wèn)次數(shù)：1721產(chǎn)品分類(lèi)
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| 品牌 | 廣電計(jì)量 |
|---|
服務(wù)范圍
第三代半導(dǎo)體器件全參數(shù)測(cè)試 電力電子器件:MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。
檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)
l AEC-Q101分立器件認(rèn)證
l MIL-STD-750半導(dǎo)體器件試驗(yàn)?法
l IEC60747系列SemiconductorDevices,DiscreteDevices
l GB/T29332半導(dǎo)體器件-分立器件-第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
l AQG324功率模塊?規(guī)認(rèn)證
檢測(cè)項(xiàng)目
| 試驗(yàn)類(lèi)型 | 試驗(yàn)項(xiàng)? |
| 靜態(tài)參數(shù) | BVDSS、IDSS、IGSS、VGS(th)、RDS(on)、VDS(on)、VSD、Rg、Cies、Coes、Cres、gfs、Vgs(pl)… |
| 動(dòng)態(tài)參數(shù) | td(on)、tr、td(off)、tf、Eon、Eoff、trr、Qrr、Irrm、dirr/dt、QG、QGC、QGE… |
| 其他參數(shù) | Rth(j-c)、Unclamped Inductive Switching、RBSOA、SCSOA… |
相關(guān)資質(zhì)
CNAS
服務(wù)背景
第三代半導(dǎo)體器件全參數(shù)測(cè)試 電力電子器件:功率器件在新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，其中，IGBT技術(shù)瓶頸不斷被打破，第三代半導(dǎo)體功率器件也開(kāi)始由實(shí)驗(yàn)室階段步?商業(yè)應(yīng)用。通常這些新型器件測(cè)試要求更?的電壓和功率?平，更快的開(kāi)關(guān)時(shí)間，對(duì)測(cè)試設(shè)備及人員技術(shù)要求?，在研發(fā)時(shí)間與成本的雙重壓力下，全參數(shù)測(cè)試成為不少制造商的難題。
我們的優(yōu)勢(shì)
廣電計(jì)量積極布局新型IGBT及第三代半導(dǎo)體功率器件的測(cè)試業(yè)務(wù)，引進(jìn)先進(jìn)的測(cè)試技術(shù)，為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)提供器件全參數(shù)檢測(cè)服務(wù)。同時(shí)，廣電計(jì)量通過(guò)構(gòu)筑檢測(cè)認(rèn)證與分析?體化平臺(tái)，為客?提供器件可靠性驗(yàn)證及失效分析，幫助客戶(hù)分析失效機(jī)理，指導(dǎo)產(chǎn)品設(shè)計(jì)及?藝改進(jìn)。
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